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> 공학,기술계열
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[전자기론]
트랜지스터의
구조와
동작
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[공학,기술계열]
등록일: 2007/05/17 | 등록자:
leodica7
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500 원
[전자기론]
트랜지스터의
구조와
동작
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[전자공학] (실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션
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[공학,기술계열]
등록일: 2009/02/15 | 등록자:
qudgns97
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1,200 원
(실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션을 첨부 하였습니다.
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자동화응용실험 - PLC 리포트
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[공학,기술계열]
등록일: 2014/04/16 | 등록자:
leewk2547
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2,000 원
은 접점제어방식, 일명 릴레이 제어방식이라는 것을 이용하여 제작 운용되어 왔다. 릴레이 제어방식이란 기본적으로 아래와 같은 전자석을 이용한 스위치를 이용한 방식으로 극히 기계적인
구조
에 의존한 소자이다.
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전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과
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[공학,기술계열]
등록일: 2013/11/29 | 등록자:
leewk2547
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2,000 원
실험 목적 예비 지식 준비 기기 및 부품 실험 과정 PSPICE 실험 결과 고찰 결론 및 오차
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인텔 계열 cpu의 발전사
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[공학,기술계열]
등록일: 2013/03/05 | 등록자:
leewk2547
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2,000 원
컴퓨터의 두뇌라고 할 수 있는 cpu는 크게 인텔, AMD 두 회사가 점유하고 있습니다. 인텔은 성능 위주로 제품을 만들고 AMD는 가격에 비중을 두고 있다고 합니다. 회사규모와 점유율 비중을 두었을 때 인텔이 앞서고...
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포토다이오드, 포토
트랜지스터
에 대해서
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[공학,기술계열]
등록일: 2012/11/29 | 등록자:
leewk2547
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2,000 원
photo다이오드-TR 정의 : 포토 다이오드 · 트렌지스터는 pn접합부에 빛이 입사하면 전자·전공쌍을 생성해 전류를 발생시키는 광기전력효과를 이용한 광전변환소자이다. 그 전류를 트렌지스터를 이용하여 증폭한...
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MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정
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[공학,기술계열]
등록일: 2012/05/17 | 등록자:
leewk2547
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2,500 원
◉ 실험 날짜: 날 씨 : 맑음 온 도 : 27° 습 도 : 43% 1. 실험 목적 - MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다. C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다. 2. 관련...
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BJT의 고정 및 전압분배 바이어스
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[공학,기술계열]
등록일: 2012/05/17 | 등록자:
leewk2547
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1,800 원
실험의 목적과 그 목적을 달성하기 위하여 어떠한 실험을 수행했는지에 대한 간단히 요약한다. 실험 결과를 간단히 적고, 이를 통해 얻을 수 있는 결론을 간단히 요약 정리한다. (요약문에서는 어떠한 실험을 했고,...
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[전자] [기초 전자공학 실험] JFET 특성 결과 레포트
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[공학,기술계열]
등록일: 2010/05/05 | 등록자:
sleepyday
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900 원
[기초 전자공학 실험] JFET 특성 결과 레포트 기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다.
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[디스플레이학] OLED의 연구동향과 미래과제
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[공학,기술계열]
등록일: 2010/03/24 | 등록자:
manddang190
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2,300 원
1. 서 론 고도화된 정보화 산업의 급격한 발달과 함께 초고속의 정보전달은 시간과 장소의 제한 없이 문자, 음성, 화상 등의 정보를 주고받을 수 있는 사회에 이르렀다. 이러한 정보전달의 매개체는 CRT 를...
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[임상의공학] ★ 차동 증폭기 예비레포트 ★
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[공학,기술계열]
등록일: 2010/01/16 | 등록자:
sjgforever
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500 원
중 가장 우수한 것이 차동증폭기이며 이 증폭기는 연산증폭기의 입력 단에 사용. 큰 전압 이득을 가진다. 이런 차동증폭기회로
구조와
동작
원리 이해, DC와 AC해석, 공통모드와 차동모드의 입출력 관계를 이용한...
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[전기전자공학] NPN, PNP
트랜지스터
실험 실험보고서
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[공학,기술계열]
등록일: 2009/08/07 | 등록자:
qudgns97
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1,000 원
NPN, PNP
트랜지스터
실험 실험보고서입니다. NPN, PNP의
동작
원리를 이해하고, 실험이론 및 실험방법, 결과를 작성한 글입니다.
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[공과기술] 접합다이오드와 정류기
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[공학,기술계열]
등록일: 2009/05/18 | 등록자:
lspeirs
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2,500 원
접합 다이오드와 정류기 p-n접합은 종종 전자공학을 처음 시작하는 학생들...
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[공학] HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]
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[공학,기술계열]
등록일: 2009/04/01 | 등록자:
darkknight
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HEMT - High Electron Mobility Transistor...
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[전자공학] JFET 공통 드레인, 게이트 증폭기 실험 및 시뮬레이션
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[공학,기술계열]
등록일: 2009/02/25 | 등록자:
qudgns97
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1,200 원
JFET 공통 드레인, 게이트 증폭기 실험 및 시뮬레이션이 첨부된 자료입니다.
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