[일반물리학실험] [일반물리학실험]반도체 정류회로 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2008/07/16 | 등록자: whitehn | 판매가격: 800 원

[일반물리학실험]반도체 정류회로실험 레포트입니다...

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반도체 기초 실험 리포트 (E-beam을 이용한 금속 증착실험) [새창]

[공학,기술계열] 등록일: 2007/05/50 | 등록자: CPIA_noxknoker | 판매가격: 1,700 원

반도체 기초 실험 E beam 증착 / ()

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반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2013/12/27 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

실험 목표 소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다. DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다. 2. 실험 결과 2.1. Si...

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전자통신기초실험-반도체 다이오드/반파정류회로 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/09/21 | 등록자: lbj7844 | 판매가격: 500 원

전자통신기초실험 반도체 다이오드/반파정류회로에 대한 결과보고서입니다. 직접 작성하여 A+ 받은 보고서입니다.

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전자통신기초실험 - 반도체 다이오드 결과보고서 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/09/21 | 등록자: lbj7844 | 판매가격: 500 원

반도체 다이오드 ◈ 실험 목적 : 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다. 3. 다이오드 순방향 특성곡선 ① 그림 1-12와 같이 회로를 결선하여라. 다이오드 양단 전압강하가 0.4V, 0.5V, 0.6V, 0.7V가 되는 곳에서...

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전자통신기초실험 - 반도체 다이오드 예비보고서 [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/09/21 | 등록자: lbj7844 | 판매가격: 500 원

◈ 실험 제목 : 반도체 다이오드 ◈ 실험 목적 : 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다. ◈ 실험 이론 1. 이상적인 반도체 다이오드

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반도체 실험, 논문형식(영문) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/06/29 | 등록자: psawon | 판매가격: 2,000 원

세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 자료들이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.

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반도체 실험, 논문형식(영문) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/06/29 | 등록자: psawon | 판매가격: 1,800 원

세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.

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반도체 실험, 논문형식(영문) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/06/29 | 등록자: psawon | 판매가격: 1,400 원

세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움 되었으면 좋곘습니다.

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반도체 실험, 논문형식(영문) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/06/29 | 등록자: psawon | 판매가격: 1,800 원

세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 레포트이며 많은 도움이 되었으면 좋곘습니다.

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반도체 실험, 논문형식(영문) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/06/29 | 등록자: psawon | 판매가격: 1,800 원

세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 자료이며 도움이 되었으면 좋겠습니다.

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반도체 실험, 논문형식(영문) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2016/06/29 | 등록자: psawon | 판매가격: 2,000 원

세종대학교 신소재공학과 3학년 반도체 실험 레포트입니다. A+받은 자료입니다. 참고하시면 좋을 것 같습니다.

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반도체공학 실험 - Metal Deposition [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착...

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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을...

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반도체공정 실험 - Photo Lithography [새창] →미리보기

[공학,기술계열] 등록일: 2015/03/16 | 등록자: leewk2547 | 판매가격: 2,000 원

이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.

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