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    • 자연과학계열
    • 2012/06/21 leewk2547 4 페이지 1,400원 다운 1회 구매평가 
    • 실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이...
    • 공학,기술계열
    • 2012/05/17 leewk2547 4 페이지 1,200원 다운 1회 구매평가 
    • 형성 시키는 공정이다. 실리콘산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO₂박막을...
    • 자연과학계열
    • 2012/04/13 leewk2547 3 페이지 1,000원 다운 1회 구매평가 
    • POCl3나 인산을 이용하여 p형으로 도핑되어 있는 실리콘 웨이퍼에 n형 layer를 형성 시켜서 pn접합을 만든다. 도핑 후에 표면의 패시베이션 및 반사도 감소를 위해서 반사방지막을 코팅한다. 보통 질화막이나 산화막...
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